从化学角度看，ITO是一种复合氧化物，其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度，而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比，ITO能够在保持光学透明的同时，具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性，使得ITO成为制造透明导电膜的理想选择。

尽管制备方法看似成熟，但实际操作中仍有不少难题需要攻克：

成分配比的性：氧化锡的掺杂量通常控制在5-10%之间，过高会导致透明度下降，过低则影响导电性。如何在微观尺度上实现均匀混合，是一个技术挑战。

靶材密度：低密度靶材在溅射时容易产生颗粒飞溅，导致薄膜出现缺陷。提高密度需要优化压制和烧结条件，但这往往伴随着成本的上升。

微观结构的控制：靶材内部的晶粒大小和分布会影响溅射的稳定性。晶粒过大可能导致溅射不均，而过小则可能降低靶材的机械强度。

热应力管理：在高温烧结过程中，靶材可能因热膨胀不均而产生裂纹，影响成品率。

这些难点要求制造商在设备、工艺和质量控制上投入大量精力。

ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。

铟回收具有重要的环保和经济效益。通过回收废旧靶材中的铟，可以减少对新资源的开采，降低环境污染，实现资源的可持续利用。此外，回收铟还能稳定市场供应，降低生产成本，促进相关产业的可持续发展。