目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。

热压烧结法

工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。

优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。

缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。

适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。

冷等静压法

工艺流程：将混合粉末装入柔性模具，在室温下通过高压（100-300兆帕）压制成型，随后在较低温度下烧结固化。

优点：工艺相对简单，生产成本较低，适合小批量或定制化生产。

缺点：靶材密度和均匀性稍逊，可能在高功率溅射中表现不够稳定。

适用场景：中低端电子产品或实验室研发用靶材。

这两种方法各有千秋，制造商需要根据具体需求权衡成本与性能。

铟回收面临的主要挑战包括铟在电子设备中的低浓度和与其他金属的合金化。传统的回收方法难以有效提取，需要采用湿法冶金或火法冶金等先进技术。同时，回收过程中需确保电子废物流的分类和处理，以减少污染物对回收过程的影响。

在智能手机、平板电脑、超清电视的光滑屏幕背后，ITO靶材（氧化铟锡）是赋予其透明导电魔力的核心材料。作为ITO靶材的关键成分，铟（In）的稳定供应直接关系到全球万亿级显示产业的命脉。然而，这种稀散金属的地缘分布不均（中国储量占全球70%以上）和原生矿产的有限性，使得铟的回收再利用不再是环保课题，更成为保障产业、实现供应链韧性的“闭环”革命。