目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。

热压烧结法

工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。

优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。

缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。

适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。

铟回收面临的主要挑战包括铟在电子设备中的低浓度和与其他金属的合金化。传统的回收方法难以有效提取，需要采用湿法冶金或火法冶金等先进技术。同时，回收过程中需确保电子废物流的分类和处理，以减少污染物对回收过程的影响。

氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

在堆积如山的废弃手机、平板电脑和液晶显示器深处，隐藏着一种被称为“电子时代血脉”的稀有金属——铟。它虽在自然界中踪迹难寻，却在ITO靶材（氧化铟锡）中扮演着不可替代的角色，驱动着全球亿万块液晶屏幕的清晰成像。随着电子产品更新换代加速，一条从“电子垃圾”到“战略资源”的铟回收产业链正悄然崛起，成为保障产业与生态可持续的关键密码。