纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。

半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。

资源与产能：锗为稀缺分散元素，全球探明储量约 8600 吨，中国储量占比 41%，是全球的锗生产国（2023 年产能约 105 吨，占全球 70%），主要产区集中在云南、贵州、四川等地。

全球资源分布集中：锗在地壳中含量仅 0.0007%，难以独立成矿，主要伴生于铅锌矿、煤矿等，全球已探明储量仅 8600 吨，中国（41%）、美国（45%）为主要储量国。资源的稀散属性导致原料供给天然受限，直接推高上游开采与初级提纯成本。​