纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。

化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。

光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。

全球资源分布集中：锗在地壳中含量仅 0.0007%，难以独立成矿，主要伴生于铅锌矿、煤矿等，全球已探明储量仅 8600 吨，中国（41%）、美国（45%）为主要储量国。资源的稀散属性导致原料供给天然受限，直接推高上游开采与初级提纯成本。​